EFC6605R-TR
僅供參考
| 型號 | EFC6605R-TR | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | EFC6605R-TR | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH EFCP | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 9,276 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十月 5 - 十月 10 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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EFC6605R-TR資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | EFC6605R-TR |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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EFC6605R-TR規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | - |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | - |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | - |
| Vgs（th）（最大）@ ID | - |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 19.8nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 功率-最大 | 1.6W |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-SMD, No Lead |
| 供應商設備包裝 | 6-EFCP (1.9x1.46) |
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