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EFC6612R-A-TF

EFC6612R-A-TF

僅供參考

型號 EFC6612R-A-TF
PNEDA編號 EFC6612R-A-TF
描述 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6612R-A-TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6612R-A-TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EFC6612R-A-TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2.5W
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝6-CSP (1.77x3.54)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Diodes Incorporated

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

881pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA, 145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

400mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790pF @ 20V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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