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EFC8811R-TF

EFC8811R-TF

僅供參考

型號 EFC8811R-TF
PNEDA編號 EFC8811R-TF
描述 MOSFET 2N-CH 6CSP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC8811R-TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC8811R-TF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC8811R-TF, EFC8811R-TF數據表 (總頁數: 6, 大小: 707.79 KB)
PDFEFC8811R-TF數據表 封面
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EFC8811R-TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝6-CSP (1.77x3.54)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2065pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3980pF @ 25V

功率-最大

65W

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