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EGL34GHE3_A/I

EGL34GHE3_A/I

僅供參考

型號 EGL34GHE3_A/I
PNEDA編號 EGL34GHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL34GHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL34GHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL34GHE3_A/I, EGL34GHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.9 KB)
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EGL34GHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F7pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA (GL34)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 60V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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Chassis, Stud Mount

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