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EGL41D-E3/96

EGL41D-E3/96

僅供參考

型號 EGL41D-E3/96
PNEDA編號 EGL41D-E3-96
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 133,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGL41D-E3/96資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGL41D-E3/96
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGL41D-E3/96, EGL41D-E3/96數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.07 KB)
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EGL41D-E3/96規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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