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EGP10D-E3/54

EGP10D-E3/54

僅供參考

型號 EGP10D-E3/54
PNEDA編號 EGP10D-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP10D-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP10D-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP10D-E3/54, EGP10D-E3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 71.25 KB)
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EGP10D-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F22pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 400V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

43ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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