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EGP30BHE3/54

EGP30BHE3/54

僅供參考

型號 EGP30BHE3/54
PNEDA編號 EGP30BHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A GP20
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP30BHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP30BHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP30BHE3/54, EGP30BHE3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 73.21 KB)
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EGP30BHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝GP20
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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150V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.23V @ 50A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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800V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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