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EGP51D-E3/D

EGP51D-E3/D

僅供參考

型號 EGP51D-E3/D
PNEDA編號 EGP51D-E3-D
描述 DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGP51D-E3/D資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGP51D-E3/D
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGP51D-E3/D, EGP51D-E3/D數據表 (總頁數: 5, 大小: 86.78 KB)
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EGP51D-E3/D規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果960mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F117pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 400V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.6V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220AC ins

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

900ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

9.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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