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EM6HE08EW8D-10IH

EM6HE08EW8D-10IH

僅供參考

型號 EM6HE08EW8D-10IH
PNEDA編號 EM6HE08EW8D-10IH
描述 4GB 512MX8 DDR3
制造商 Etron Technology, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6HE08EW8D-10IH資源

品牌 Etron Technology, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6HE08EW8D-10IH
類別半導體內存IC內存

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EM6HE08EW8D-10IH規格

制造商Etron Technology, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Winbond Electronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP2

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

6ns

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工作溫度

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