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EM6J1T2R

EM6J1T2R

僅供參考

型號 EM6J1T2R
PNEDA編號 EM6J1T2R
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6J1T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6J1T2R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EM6J1T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds115pF @ 10V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180Ohm @ 20mA, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1180pF @ 40V

功率-最大

900mW

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

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