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EM6K31GT2R

EM6K31GT2R

僅供參考

型號 EM6K31GT2R
PNEDA編號 EM6K31GT2R
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EM6K31GT2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EM6K31GT2R
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EM6K31GT2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 25V
功率-最大120mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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10.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2230pF @ 50V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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