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EMT51T2R

EMT51T2R

僅供參考

型號 EMT51T2R
PNEDA編號 EMT51T2R
描述 TRANS 2PNP 20V 0.2A 6EMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMT51T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMT51T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMT51T2R, EMT51T2R數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,239.98 KB)
PDFEMT51T2R數據表 封面
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EMT51T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡350MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 10V

功率-最大

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工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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工作溫度

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安裝類型

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