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EMZ1DXV6T1

EMZ1DXV6T1

僅供參考

型號 EMZ1DXV6T1
PNEDA編號 EMZ1DXV6T1
描述 TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMZ1DXV6T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMZ1DXV6T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMZ1DXV6T1, EMZ1DXV6T1數據表 (總頁數: 5, 大小: 59.21 KB)
PDFEMZ1DXV6T5G數據表 封面
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EMZ1DXV6T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大500mW
頻率-過渡180MHz, 140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 300mA, 30V

功率-最大

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NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

380mW

頻率-過渡

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晶體管類型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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300mV @ 5mA, 50mA

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