EPC2012
僅供參考
| 型號 | EPC2012 |
| PNEDA編號 | EPC2012 |
| 描述 | GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE |
| 制造商 | EPC |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,056 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸) |
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EPC2012資源
| 品牌 | EPC |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | EPC2012 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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EPC2012規格
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 200V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 3A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 5V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 145pF @ 100V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | Die |
| 包裝/箱 | Die |
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