EPC2021ENGR
僅供參考
| 型號 | EPC2021ENGR |
| PNEDA編號 | EPC2021ENGR |
| 描述 | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
| 制造商 | EPC |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,640 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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EPC2021ENGR資源
| 品牌 | EPC |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | EPC2021ENGR |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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EPC2021ENGR規格
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 80V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 60A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 5V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 14mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1700pF @ 40V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | Die |
| 包裝/箱 | Die |
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