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EPC2045

EPC2045

僅供參考

型號 EPC2045
PNEDA編號 EPC2045
描述 GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 330,630
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2045資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2045
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
EPC2045, EPC2045數據表 (總頁數: 6, 大小: 1,019.92 KB)
PDFEPC2045ENGRT數據表 封面
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EPC2045規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 5V
Vgs(最大)+6V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds685pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Die
包裝/箱Die

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

35pF @ 18V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.1W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

324nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

294W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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