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EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

僅供參考

型號 EPC2104ENGRT
PNEDA編號 EPC2104ENGRT
描述 GANFET 2NCH 100V 23A DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 16,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2104ENGRT資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2104ENGRT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2104ENGRT, EPC2104ENGRT數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,659.46 KB)
PDFEPC2104ENG數據表 封面
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EPC2104ENGRT規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.3mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 5.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 50V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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