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ES1AHM2G

ES1AHM2G

僅供參考

型號 ES1AHM2G
PNEDA編號 ES1AHM2G
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1AHM2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1AHM2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1AHM2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F16pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

15mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2.1pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

440mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

255ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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