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ES1B-13-F

ES1B-13-F

僅供參考

型號 ES1B-13-F
PNEDA編號 ES1B-13-F
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 828,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1B-13-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1B-13-F
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES1B-13-F, ES1B-13-F數據表 (總頁數: 5, 大小: 329.48 KB)
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ES1B-13-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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90V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

385mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 20V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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200V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

180ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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