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ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T ES1B-E3/61T

僅供參考

型號 ES1B-E3/61T
PNEDA編號 ES1B-E3-61T
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 335,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1B-E3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1B-E3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES1B-E3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

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600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.15V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11.1ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

1A

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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