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ES1CLHMHG

ES1CLHMHG

僅供參考

型號 ES1CLHMHG
PNEDA編號 ES1CLHMHG
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1CLHMHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1CLHMHG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1CLHMHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 150V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

54.7pF @ 100V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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