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ES1DL MQG

ES1DL MQG

僅供參考

型號 ES1DL MQG
PNEDA編號 ES1DL-MQG
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1DL MQG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1DL MQG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1DL MQG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

8A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

463pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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45V

電流-平均整流(Io)

7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

1995pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

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