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ES1DL R3G

ES1DL R3G

僅供參考

型號 ES1DL R3G
PNEDA編號 ES1DL-R3G
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 27,504
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1DL R3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1DL R3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1DL R3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

Mini MELF

工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

150°C (Max)

VS-HFA04SD60SL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

工作溫度-結點

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123W

供應商設備包裝

SOD123W

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

1N1183

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GeneSiC Semiconductor

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB

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