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ES1DL RTG

ES1DL RTG

僅供參考

型號 ES1DL RTG
PNEDA編號 ES1DL-RTG
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1DL RTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1DL RTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1DL RTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

2350pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1500V

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