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ES1FL M2G

ES1FL M2G

僅供參考

型號 ES1FL M2G
PNEDA編號 ES1FL-M2G
描述 DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1FL M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1FL M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1FL M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 300V
電容@ Vr,F8pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

10pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

28pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 220V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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