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ES1FLHMQG

ES1FLHMQG

僅供參考

型號 ES1FLHMQG
PNEDA編號 ES1FLHMQG
描述 DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1FLHMQG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1FLHMQG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1FLHMQG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 300V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 10V

電容@ Vr,F

25pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

5600pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

18pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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