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ES1G

ES1G

僅供參考

型號 ES1G
PNEDA編號 ES1G
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 144,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 2 - 一月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMA (DO-214AC)
工作溫度-結點150°C (Max)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

制造商

IXYS

系列

HiPerDynFRED™

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

4.04V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

ISOPLUS247™

供應商設備包裝

ISOPLUS247™

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

VS-12TQ045SHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 45V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Infineon Technologies

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4500V

電流-平均整流(Io)

1740A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

4.3V @ 2500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 4500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

0°C ~ 140°C

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DIODE GEN PURP 600V 2A SMB