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ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

僅供參考

型號 ES1JLHRTG
PNEDA編號 ES1JLHRTG
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1JLHRTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1JLHRTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES1JLHRTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

3A

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790mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 200°C

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Infineon Technologies

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4500V

電流-平均整流(Io)

2900A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 4500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AE

供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

125V

電流-平均整流(Io)

150mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

24.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 2A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1200V

電容@ Vr,F

560pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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