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ES1ME-TP

ES1ME-TP

僅供參考

型號 ES1ME-TP
PNEDA編號 ES1ME-TP
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
制造商 Micro Commercial Co
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庫存 369,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES1ME-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES1ME-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES1ME-TP, ES1ME-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 299.19 KB)
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ES1ME-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMAE)
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

1.6A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

940mV @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

32pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2000V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1200V

電流-平均整流(Io)

263A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.83V @ 1180A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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