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ES2AHE3/5BT

ES2AHE3/5BT

僅供參考

型號 ES2AHE3/5BT
PNEDA編號 ES2AHE3-5BT
描述 DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2AHE3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2AHE3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES2AHE3/5BT, ES2AHE3/5BT數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.05 KB)
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ES2AHE3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F18pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

9ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

9pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

供應商設備包裝

1005/SOD-323F

工作溫度-結點

125°C (Max)

制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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