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ES2AHE3_A/H

ES2AHE3_A/H

僅供參考

型號 ES2AHE3_A/H
PNEDA編號 ES2AHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2AHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2AHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES2AHE3_A/H, ES2AHE3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.05 KB)
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ES2AHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F18pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Axial

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35V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

BAV20W-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

工作溫度-結點

150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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