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ES2B/1

ES2B/1

僅供參考

型號 ES2B/1
PNEDA編號 ES2B-1
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2B/1資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2B/1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES2B/1, ES2B/1數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.05 KB)
PDFES2DHE3J/52T數據表 封面
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ES2B/1規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F18pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 500mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

SB540L-6314E3/72

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

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