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ES2B M4G

ES2B M4G

僅供參考

型號 ES2B M4G
PNEDA編號 ES2B-M4G
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2B M4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2B M4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES2B M4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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60V

電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

SOD-123

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1400V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

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-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 78A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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