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ES2CHE3_A/I

ES2CHE3_A/I

僅供參考

型號 ES2CHE3_A/I
PNEDA編號 ES2CHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2CHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2CHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES2CHE3_A/I, ES2CHE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.05 KB)
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ES2CHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F18pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

1.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 40V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

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