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ES2DHE3J_A/H

ES2DHE3J_A/H

僅供參考

型號 ES2DHE3J_A/H
PNEDA編號 ES2DHE3J_A-H
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2DHE3J_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2DHE3J_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ES2DHE3J_A/H, ES2DHE3J_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.05 KB)
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ES2DHE3J_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F18pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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