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ES2DVHM4G

ES2DVHM4G

僅供參考

型號 ES2DVHM4G
PNEDA編號 ES2DVHM4G
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2DVHM4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2DVHM4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES2DVHM4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 4400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

300pF @ 5V, 1MHz

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Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 100V

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