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ES2G R5G

ES2G R5G

僅供參考

型號 ES2G R5G
PNEDA編號 ES2G-R5G
描述 DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 28,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES2G R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES2G R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES2G R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4000V

電流-平均整流(Io)

850A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 850A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

180A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 180A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 45V

電容@ Vr,F

7800pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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