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ES3FB R5G

ES3FB R5G

僅供參考

型號 ES3FB R5G
PNEDA編號 ES3FB-R5G
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 19,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3FB R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3FB R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3FB R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.13V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F41pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2.1pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

3A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

12ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

350pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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當前-反向泄漏@ Vr

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