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ES3FHE3/9AT

ES3FHE3/9AT

僅供參考

型號 ES3FHE3/9AT
PNEDA編號 ES3FHE3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3FHE3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3FHE3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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ES3FHE3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

180A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 180A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5mA @ 150V

電容@ Vr,F

4500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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