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ES3GB R5G

ES3GB R5G

僅供參考

型號 ES3GB R5G
PNEDA編號 ES3GB-R5G
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 15,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3GB R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3GB R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3GB R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.13V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F41pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電流-平均整流(Io)

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700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

POWERDI®123

供應商設備包裝

PowerDI™ 123

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

175pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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HEXFRED®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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