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ES3HR7G

ES3HR7G

僅供參考

型號 ES3HR7G
PNEDA編號 ES3HR7G
描述 DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3HR7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3HR7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3HR7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)500V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 500V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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SOD-57

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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6800V

電流-平均整流(Io)

3910A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 6800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 60V

電容@ Vr,F

360pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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