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ES3J R7G

ES3J R7G

僅供參考

型號 ES3J R7G
PNEDA編號 ES3J-R7G
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ES3J R7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ES3J R7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ES3J R7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

12A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 6.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

240V

電流-平均整流(Io)

225mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 240V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

71A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 45A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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