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ESH1PA-E3/85A

ESH1PA-E3/85A

僅供參考

型號 ESH1PA-E3/85A
PNEDA編號 ESH1PA-E3-85A
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 6 - 一月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH1PA-E3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH1PA-E3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ESH1PA-E3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.9V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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