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ESH1PCHE3/85A

ESH1PCHE3/85A

僅供參考

型號 ESH1PCHE3/85A
PNEDA編號 ESH1PCHE3-85A
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH1PCHE3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH1PCHE3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH1PCHE3/85A, ESH1PCHE3/85A數據表 (總頁數: 5, 大小: 99.22 KB)
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ESH1PCHE3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 150V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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