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ESH1PD-M3/85A

ESH1PD-M3/85A

僅供參考

型號 ESH1PD-M3/85A
PNEDA編號 ESH1PD-M3-85A
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH1PD-M3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH1PD-M3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH1PD-M3/85A, ESH1PD-M3/85A數據表 (總頁數: 5, 大小: 99.22 KB)
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ESH1PD-M3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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480mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 30V

電容@ Vr,F

60pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

650A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.05V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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