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ESH2CHE3_A/H

ESH2CHE3_A/H

僅供參考

型號 ESH2CHE3_A/H
PNEDA編號 ESH2CHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH2CHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH2CHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH2CHE3_A/H, ESH2CHE3_A/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 90.93 KB)
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ESH2CHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 150V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

BYS459B-1500E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

6.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 6.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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