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ESH2D-E3/52T

ESH2D-E3/52T

僅供參考

型號 ESH2D-E3/52T
PNEDA編號 ESH2D-E3-52T
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 23,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH2D-E3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH2D-E3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH2D-E3/52T, ESH2D-E3/52T數據表 (總頁數: 5, 大小: 90.93 KB)
PDFESH2DHE3/52T數據表 封面
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ESH2D-E3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

4.6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.9mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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