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ESH2DA M2G

ESH2DA M2G

僅供參考

型號 ESH2DA M2G
PNEDA編號 ESH2DA-M2G
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH2DA M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH2DA M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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ESH2DA M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

14ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

81pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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供應商設備包裝

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