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ESH2DHE3_A/I

ESH2DHE3_A/I

僅供參考

型號 ESH2DHE3_A/I
PNEDA編號 ESH2DHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH2DHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH2DHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH2DHE3_A/I, ESH2DHE3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 90.93 KB)
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ESH2DHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 200V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

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