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ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

僅供參考

型號 ESH3B-E3/9AT
PNEDA編號 ESH3B-E3-9AT
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESH3B-E3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESH3B-E3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
ESH3B-E3/9AT, ESH3B-E3/9AT數據表 (總頁數: 5, 大小: 88.03 KB)
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ESH3B-E3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

PMDS

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

A, Axial

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 7A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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